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第3134章 全球spie微光刻会议（第2页）

就比如在三年前的99年3月16日，Nikon公司就向专利局提交了浸没式光刻技术专利申请，专利名称是“Projection exposure method and system”。该PCT国际公开日是99年9月30日，国际公开号：WO99/。

可以说是相当的鸡贼。

包括和ASML合作的麻省理工学院（MIT）林肯实验室，也在157nmDUV上努力的给ASML助力。

不过他们研究的方向有别于Nikon和Canon在纯氮气中进行157nm光波雕刻，而是选择了离子水（纯化水）状态下的157nm浸没实验。

这个实验大致和Nikon的浸没式光刻技术专利差不多，都是研究在纯净水状态下157nmDUV的雕刻性能。

就在几天前的全球SPIE微光刻会议上，MIT做出研发报告157nm浸没实验的结果。

“在去离子水（纯化水）状态下的浸没实验，157nmDUV依然有着在纯氮环境下的诸多问题无法解决。然而对于193nm的曝光是足够透明的，在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在，几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。”

MIT的这份报告，让现场与会的全球微影领域的顶尖大拿们纷纷失望不已，也就是在这个报告出来了以后，这几天世界微光刻领域对浸没式光刻技术纷纷发表了类似于‘至少现今技术还不成熟’的观点。

这个观点，有着这些微光刻领域专家们的真实的想法，更有着Nikon和Canon为了能继续保持在这个领域的权威和垄断，以及已经砸进去几十亿美元的游说和新闻引导。

在这个会议上，林博士也参加了这场会议，会议的主持方要求他发言‘浸润式微影技术’。

“由于NA已经大于0.9，并且随着NA的进一步增加而回报递减，浸没式光刻可能是额外节点的关键。浸没式光刻的关键是具有在光学波长中具有足够的透射性，并且对透镜和抗蚀剂表面是惰性的。开始研究浸没流体是相对便宜的。一旦确定了流体，就必须解决许多问题；即，抗蚀剂的脱气，曝光或扫描过程中流体折射率的不均匀、流体的摩擦导致的扫描速度减慢，以及潮湿环境的混乱。——”

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这时候赵长安手里面拿的一份文件，就是在这次全球SPIE微光刻会议上，各个专家级权威的发言。

其中他看了林博士的发言的时间最长，对于别的专家的发言，基本上都是快速的浏览。